BYW29E-100,127

BYW29E-100,127



Производитель:

NXP Semiconductors
Описание:
 DIODE RECT 100V 8A SOD59
Категория:
 Discrete Semiconductor Products
Корпус:
 --
Год:
 --

Datasheet (Техническое описание) BYW29E-100,127

Поиск в бесплатном архиве даташитов datasheet.su


Посмотреть все характеристики
Technical/Catalog InformationBYW29E-100,127
VendorNXP Semiconductors
CategoryDiscrete Semiconductor Products
Diode Type Standard
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max)100V
Current - Average Rectified (Io)8A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If1.05V @ 8A
Reverse Recovery Time (trr)25ns
Current - Reverse Leakage @ Vr10??A @ 100V
SpeedFast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting TypeThrough Hole, Radial
Package / CaseTO-220AC-2
PackagingTube
Capacitance @ Vr, F-
Drawing Number568; SOD59; ; 2
Lead Free StatusLead Free
RoHS StatusRoHS Compliant
Other Names BYW29E 100,127
BYW29E100,127


 
Похожие микросхемы:


BYW80-200G
DIODE ULT FAST 200V 7A TO-220AC
BYW29EX-200,127
DIODE RECT 200V 8A SOD113
BYW29E-200,127
DIODE FAST REC 8A 200V TO220AC
BYW29E-150,127
DIODE RECT UFAST 150V TO220AC
BYW29-200G
DIODE ULT FAST 200V 8A TO-220