FDI3652




Производитель:

Fairchild Semiconductor
Описание:
 MOSFET N-CH 100V 61A TO-262AA
Категория:
 Discrete Semiconductor Products
Корпус:
 --
Год:
 05+

Datasheet (Техническое описание) FDI3652

Поиск в бесплатном архиве даташитов datasheet.su


Посмотреть все характеристики
Technical/Catalog InformationFDI3652
VendorFairchild Semiconductor
CategoryDiscrete Semiconductor Products
Mounting TypeThrough Hole
FET PolarityN-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss)100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C61A
Rds On (Max) @ Id, Vgs16 mOhm @ 61A, 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds 2880pF @ 25V
Power - Max150W
PackagingTube
Gate Charge (Qg) @ Vgs53nC @ 10V
Package / CaseTO-262AA
FET FeatureStandard
Lead Free StatusLead Free
RoHS StatusRoHS Compliant
Other Names FDI3652
FDI3652


 
Похожие микросхемы:


FDI8442
MOSFET N-CH 40V 80A TO-262
FDI8441
MOSFET N-CH 40V FLF TO-262AB
FDI33N25TU
IC MOSFET N-CH 250V 33A I2PAK
FDI2532
MOSFET N-CH 150V 79A TO-262AB
FDI047AN08A0
MOSFET N-CH 75V 80A TO-262AB
FDI025N06
MOSFET N-CH 60V 265A TO-262