TK55D10J1(Q)




Производитель:

Toshiba
Описание:
 MOSFET N-CH 100V 55A 2-10V1A
Категория:
 Discrete Semiconductor Products
Корпус:
 --
Год:
 --

Datasheet (Техническое описание) TK55D10J1(Q)

Поиск в бесплатном архиве даташитов datasheet.su


Посмотреть все характеристики
Technical/Catalog InformationTK55D10J1(Q)
VendorToshiba
CategoryDiscrete Semiconductor Products
Mounting TypeThrough Hole
FET PolarityN-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss)100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C55A
Rds On (Max) @ Id, Vgs10.5 mOhm @ 27A, 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds 5700pF @ 10V
Power - Max140W
PackagingTube
Gate Charge (Qg) @ Vgs110nC @ 10V
Package / Case2-10V1A
FET FeatureLogic Level Gate
Lead Free StatusLead Free
RoHS StatusRoHS Compliant
Other Names TK55D10J1 Q
TK55D10J1Q


 
Похожие микросхемы:


TK5561A-PP
IC TRANSPONDR CRYPTO SHORT CYCLE
TK5551M-PP
IC RFID 125KHZ READ/WRITE TAG
TK5530HM-232-PP
IC RFID 125KHZ READ ONLY TAG