FQH8N100C

FQH8N100C



Производитель:


Fairchild Semiconductor
Описание:
MOSFET N-CH 1000V 8A TO-247
Категория:
Discrete Semiconductor Products
Корпус:
TO-247/TO-3P/TO-3PF
Год:
08+

Datasheet (Техническое описание) FQH8N100C

Поиск в бесплатном архиве даташитов datasheet.su


Посмотреть все характеристики
Technical/Catalog InformationFQH8N100C
VendorFairchild Semiconductor
CategoryDiscrete Semiconductor Products
Mounting TypeThrough Hole
FET PolarityN-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss)1000V (1kV)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C8A
Rds On (Max) @ Id, Vgs1.45 Ohm @ 4A, 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds 3220pF @ 25V
Power - Max225W
PackagingTube
Gate Charge (Qg) @ Vgs70nC @ 10V
Package / CaseTO-247
FET FeatureStandard
Lead Free StatusLead Free
RoHS StatusRoHS Compliant
Other Names FQH8N100C
FQH8N100C


 
Похожие микросхемы:


FQH90N15
MOSFET N-CH 150V 90A TO-247
FQH70N10
MOSFET N-CH 100V 70A TO-247
FQH44N10_F133
MOSFET N-CH 100V 48A TO-247
FQH18N50V2
MOSFET N-CH 500V 20A TO-247
FQH140N10
MOSFET N-CH 100V 140A TO-247