BUB323ZT4G




Производитель:


ON Semiconductor (VA)
Описание:
TRANS NPN DARL 10A 350V D2PAK
Категория:
Discrete Semiconductor Products
Корпус:
--
Год:
--

Datasheet (Техническое описание) BUB323ZT4G

Поиск в бесплатном архиве даташитов datasheet.su


Посмотреть все характеристики
Technical/Catalog InformationBUB323ZT4G
VendorON Semiconductor (VA)
CategoryDiscrete Semiconductor Products
Transistor TypeNPN - Darlington
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)350V
Current - Collector (Ic) (Max)10A
Power - Max150W
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce150 @ 6.5A, 1.5V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic1.7V @ 250mA, 10A
Frequency - Transition2MHz
Current - Collector Cutoff (Max)100μA
Mounting TypeSurface Mount
Package / CaseD²Pak, SMD-220, TO-263 (3 leads + tab)
PackagingCut Tape (CT)
Drawing Number*
Lead Free StatusLead Free
RoHS StatusRoHS Compliant
Other Names BUB323ZT4G
BUB323ZT4G
BUB323ZT4GOSCT ND
BUB323ZT4GOSCTND
BUB323ZT4GOSCT


 
Похожие микросхемы:


BUB941ZTT4
TRANSISTOR DARL NPN D2PAK
BUB323ZT4
TRANS NPN DARL 10A 350V D2PAK
BUB323ZG
TRANS DARL NPN 10A 350V D2PAK
BUB323Z
TRANS DARL NPN 10A 350V D2PAK