BUB323ZG




Производитель:


ON Semiconductor
Описание:
TRANS DARL NPN 10A 350V D2PAK
Категория:
Discrete Semiconductor Products
Корпус:
--
Год:
--

Datasheet (Техническое описание) BUB323ZG

Поиск в бесплатном архиве даташитов datasheet.su


Посмотреть все характеристики
Technical/Catalog InformationBUB323ZG
VendorON Semiconductor
CategoryDiscrete Semiconductor Products
Transistor TypeNPN - Darlington
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)350V
Current - Collector (Ic) (Max)10A
Power - Max150W
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce500 @ 5A, 4.6V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic1.6V @ 70mA, 7A
Frequency - Transition2MHz
Current - Collector Cutoff (Max)100μA
Mounting TypeSurface Mount
Package / CaseD²Pak, SMD-220, TO-263 (2 leads + tab)
PackagingTube
Lead Free StatusLead Free
RoHS StatusRoHS Compliant
Other Names BUB323ZG
BUB323ZG


 
Похожие микросхемы:


BUB941ZTT4
TRANSISTOR DARL NPN D2PAK
BUB323ZT4G
TRANS NPN DARL 10A 350V D2PAK
BUB323ZT4
TRANS NPN DARL 10A 350V D2PAK
BUB323Z
TRANS DARL NPN 10A 350V D2PAK